研究员，中科院研究生院等离子体专业博士，美国加州大学伯克利分校半导体等离子体工艺专业博士后，中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁。

兼任国内多所大学客座教授。北京市十四届人大代表，大兴区政协常委。2013年被评为北京市首批“北京学者”。

吴汉明博士获2008年国家科技进步二等奖，2013年国家科技进步二等奖（第一完成人），并承担国家863项目和重大科技专项，共有46项发明专利，著有近70篇论文。研发高密度等离子体刻蚀，研究理论和实验结果表明其等离子体密度达到深亚微米刻蚀的要求，研究结果申报了国家发明专利，发表在国际专业期刊杂志上并得到广泛引用。研发了世界上第一套可以进行等离子体工艺模拟的商业软件并得到广泛使用。2001年进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司后，组建了先进刻蚀技术工艺部，领导了0 .13微米刻蚀工艺，在中国实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺，为我国首次实现铜互连提供了工艺基础。

吴汉明博士是中国工程院2015年院士增选进入第二轮评选的科学家之一。

2019年荣获中国工程院院士。