张进成，教育部长江学者特聘教授，陕西省三秦学者特聘教授，西安电子科技大学微电子学院教授、博士生导师、副院长，宽禁带半导体技术国防重点学科实验室副主任，陕西省石墨烯联合实验室主任。长期从事新型半导体材料与器件研究，在低缺陷宽禁带半导体材料、新型异质结构及功率器件等方面取得了多项国际领先的研究成果。成果曾五次被Semiconductor Today报道，发表SCI论文150余篇，出版专著2部，在ICNS、E-MRS等国际会议做特邀报告10余次，授权发明专利40余项。成果获国家技术发明二等奖1项，省部级一等奖4项、二等奖3项。